水銀整流器和電子管用石墨制品的功用
    化合物半導(dǎo)體用的多晶硅生產(chǎn)。化合物廢氣半導(dǎo)體的材料由元素周期表上Ⅱ~Ⅵ族的元素構(gòu)成，代表性的元素有鎵（Ga）、砷（As）、磷（P）、銦（In）等。化合物半導(dǎo)體單晶與Si單晶有些差異，一般采用液封CZ拉伸法（EC: Liquid Encapsulated Czochralski）制造，可是也有用組成辦法生成多晶化合物并以此為材料的做法。例如，制造GaP時(shí)，依照其化學(xué)當(dāng)量的比將Ga和P裝入石墨管，加蓋關(guān)閉，在加壓的一起，用中頻感應(yīng)加熱至大約1500℃，使之熔融，反應(yīng)生成GaP的組成多晶。這里所用的石墨要求具有高純度、高熱導(dǎo)性和高溫強(qiáng)度等特性。
    因?yàn)槿斯なw積密度比鋁還輕，在常壓下不熔化蒸氣壓很小，有超卓的導(dǎo)電功用，導(dǎo)熱系數(shù)比鐵、錫、鎳、汞和鉑高，而線膨脹系數(shù)卻很低，大體與玻璃相同，具有超卓的耐熱沖擊功用和穩(wěn)定性以及高的電子逸出功并不與汞起反應(yīng)等特性，因此，它可作為水銀整流器陽(yáng)極、柵極和大型電子管用石墨制品的陽(yáng)極和柵極等。
    水銀整流器和電子管用石墨制品要求灰分雜質(zhì)含量少，機(jī)械強(qiáng)度高。灰分雜質(zhì)在陽(yáng)極表面能放射電子，特別有害的是半導(dǎo)體的雜質(zhì)，如硅、堿金屬和堿土金屬（包含鈉、鉀、鈣、鎂及其氧化物）。因?yàn)檫@些雜質(zhì)簡(jiǎn)略使整流器發(fā)生逆弧現(xiàn)象。有泵陽(yáng)極灰分要求小于0.035％，而無(wú)泵水銀整流器陽(yáng)極裝入機(jī)體后，除潰散檢修外，不能抽氣。如存有灰分雜質(zhì)影響更大，要求灰分小于0.01％。此外，還要求石具有必定的機(jī)械強(qiáng)度，表面加工均勻共同，氣孔率小、細(xì)密等。